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Configurazione del prodotto
Descrizione
I componenti a banda larga come SiC e GaN commutano in nanosecondi, le tensioni del bus sono in costante aumento e l'interferenza di modo comune diventa sempre più difficile da controllare. Le sonde differenziali ad alta tensione convenzionali faticano a garantire simultaneamente larghezza di banda, reiezione di modo comune e sicurezza.
Il MOIP1200P risolve questo problema grazie al completo isolamento elettrico. Il segnale viene convertito da elettrico a ottico, trasmesso tramite cavo in fibra ottica e riconvertito in segnale elettrico dall'oscilloscopio. La sonda è assistita da un laser. Poiché non vi è alcuna connessione elettrica tra il dispositivo in prova e l'oscilloscopio, si evitano i loop di massa.
Questo è il modello con la larghezza di banda più elevata della serie MOIP di Micsig. Abbinato a un oscilloscopio ad alta risoluzione di Micsig, costituisce un sistema completo per misurazioni ad alta tensione con circuiti flottanti e isolati.
Caratteristiche
- Isolamento di terza generazione tramite SigOFIT™: la conversione elettrico-ottico-elettrica con trasmissione in fibra ottica e alimentazione a laser isola completamente l'oggetto in esame dall'oscilloscopio.
- Larghezza di banda di 1,2 GHz, tempo di salita ≤ 350 ps: la larghezza di banda più elevata della serie MOIP, il 20% in più rispetto al MOIP1000P.
- Reiezione di modo comune fino a 180 dB: 180 dB in corrente continua e ancora 106 dB a 1,2 GHz per sopprimere le oscillazioni di modo comune ad alta frequenza.
- Tensione di modo comune di 85 kVpk: combinata con cavi corti e una capacità di ingresso di 1 pF per testare in sicurezza nodi ad alta tensione sensibili.
- Gamma di tensione differenziale da ±0,01 V a ±20 kV: la gamma superiore si ottiene con attenuatori opzionali. Livello di rumore inferiore a 0,45 mVrms, precisione della tensione CC superiore all'1%.
- Modulazione laser ADHOMT: modulazione laser ibrida analogico-digitale senza deriva termica. Non è necessaria alcuna calibrazione manuale: basta accendere e misurare.
- Progettato per il funzionamento continuo: supporta test continui 24 ore su 24 (365 × 24).
- Uscita BNC standard: compatibile con oscilloscopi di tutti i produttori.
Dettagli
- Una larghezza di banda di 1,2 GHz e un tempo di salita di ≤ 350 ps consentono di ottenere i fronti di commutazione più rapidi dei dispositivi GaN.
- Il rapporto di reiezione di modo comune (CMRR) rimane a 106 dB anche a 1,2 GHz, in modo che le oscillazioni di modo comune ad alta frequenza vengano soppresse dove è necessario.
- L'isolamento ottico completo interrompe il percorso elettrico tra il circuito e l'oscilloscopio. Una tensione di modo comune di 85 kVpp fornisce un margine sufficiente per tensioni di bus crescenti.
- Una capacità di ingresso di 1 pF non interferisce con nodi sensibili come i driver di gate GaN.
- Una famiglia di sonde copre l'intervallo da ±0,01 V a ±20 kV con attenuatori opzionali, con un livello di rumore inferiore a 0,45 mVrms.
- L'assenza di variazioni di temperatura e di calibrazione manuale consente un monitoraggio ininterrotto a lungo termine.
- L'uscita BNC standard è compatibile con gli oscilloscopi che già possedete.
Ambiti di applicazione
- Progettazione di azionamenti per motori e convertitori di potenza
- Progettazione di componenti a semiponte/ponte completo in GaN e SiC
- Progettazione di inverter, sistemi UPS e alimentatori switching.
- Test di sicurezza per alte tensioni e larghezze di banda elevate
- Valutazione dell'elettronica di potenza
- Misurazioni di shunt attuali
- Risoluzione dei problemi relativi alle interferenze elettromagnetiche (EMI) e alle scariche elettrostatiche (ESD)
- misure galleggianti
Ulteriori informazioni

CMRR
La sonda SigOFIT presenta un elevato rapporto di reiezione di modo comune (CMRR) fino a 108 dB a 1 GHz.

GaN adatto
Le sonde Micsig SigOFIT sono state sviluppate specificamente per applicazioni GaN e simili. Per soddisfare le elevate esigenze, i cavi di misura sono corti e la capacità di ingresso è inferiore a 3 pF.

Alta precisione
La sonda SigOFIT è caratterizzata da eccellenti caratteristiche ampiezza-frequenza e la precisione del guadagno in corrente continua è inferiore all'1%. Il livello di rumore massimo all'interno del campo di misura è <0,45 mVrms e la deriva del punto zero è inferiore allo 0,1%.

Per i semiconduttori di terza generazione
I dispositivi SiC e GaN possono commutare tensioni elevate in pochi nanosecondi e il segnale può contenere armoniche ad alta energia e alta frequenza.
Specifiche
| Modellare | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP1000P | MOIP1200P |
|---|---|---|---|---|---|
| larghezza di banda | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 1 GHz | 1,2 GHz |
| Mobilità ascendente | ≤1,5 ns | ≤1ns | ≤800 CV | ≤450 CV | ≤350 CV |
| Impedenza di ingresso SMA | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF |
| Tensione di uscita | ±1,25 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V |
| Intervalli di tensione differenziali | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V |
| Rumore | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,45 mVrms | <0,45 mVrms |
| Alimentazione elettrica | USB Type-C, corrente continua: 12 V | USB Type-C, corrente continua: 12 V | USB Type-C, corrente continua: 12 V | USB Type-C, corrente continua: 12 V | USB Type-C, corrente continua: 12 V |
| Precisione dell'amplificazione CC | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% |
| Intervallo di tensione di modo comune | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk |
| lunghezza del cavo | 2 m (regolabile) | 2 m (regolabile) | 2 m (regolabile) | 2 m (regolabile) | 2 m (regolabile) |
Specifiche dell'ammortizzatore
| punta della sonda | smorzamento | Intervallo di tensione differenziale (MOIP200P/350P/500P/1000P/1200P) | Impedenza di ingresso |
|---|---|---|---|
| OP20 | 2X/20X | ±1 V / ±10 V | 4,47 MΩ || ≤ 4 pF |
| OP50 | 5x/50x | ±2,5 V / ±25 V | 4,19 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP100 | 10x/100x | ±5 V / ±50 V | 4,10 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP200 | 20x/200x | ±10 V / ±100 V | 8MΩ || ≤ 1pF |
| OP500 | 50x/500x | ±25 V / ±250 V | 5MΩ || ≤ 1pF |
| OP1000 | 100x/1000x | ±50 V / ±500 V | 20,94 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP2000 | 200X/2000X | ± 100 V / ± 1000 V | 20,52 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP5000 | 500X/5000X | ± 250 V / ± 2500 V | 40,82 MΩ || ≤1 pF |
| OP10000 | 1000X/10000X | ± 500 V / ± 5000 V | 40,82 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP20000 | 2000X/20000X | ±1000 V / ±10000 V | 120 MΩ / 2 pF |
| OP30000 | 3000X/30000X | ±1500 V / ±15000 V | 180 MΩ / 1 pF |
| OP40000 | 4000X/40000X | ±2000 V / ±20000 V | 240 MΩ / 1 pF |
| OP5000-RF | 500X/5000X | ±250 V / ±2500 V |

























