Spettroscopia d impedenza sui condensatori DC-link negli inverter SiC e GaN

Perche la curva d impedenza conta piu di un singolo valore di capacita

Gli inverter SiC e GaN combinano fronti molto rapidi, tensioni DC-link elevate e layout compatti. Il condensatore DC-link va quindi valutato per ESR, ESL e risonanze sull intervallo di frequenza utile.

Un analizzatore di impedenza di precisione come il Tonghui TH2851 rende visibili questi parametri. Per test ripetitivi possono essere adatti anche il Tonghui TH2848 o il Tonghui TH2830.

Applicazione tipica

Un team sviluppa un inverter compatto da 800 V. Sul prototipo compaiono sovraelongazioni sul DC-link e riscaldamento della banca di condensatori. La misura d impedenza aiuta a confrontare i componenti, individuare le risonanze e definire limiti di accettazione.

  • Valutare ESR e perdite in temperatura.
  • Identificare risonanza serie ed ESL parassita.
  • Confrontare banche in parallelo.
  • Definire controlli in ingresso e riqualifica.

Prodotti correlati

Per l analisi in laboratorio e indicato il Tonghui TH2851. Per test ricorrenti sono utili il TH2848 e il TH2830.

Articoli correlati

Analisi dell'impedenza nell'elettronica di potenza: misurazione corretta della resistenza equivalente in serie (ESR) e della frequenza di risonanza.

Analisi dell'impedenza nell'elettronica di potenza: misurazione corretta della resistenza equivalente in serie (ESR) e della frequenza di risonanza.

Nota applicativa pratica per condensatori di collegamento in corrente continua, filtri ed elettronica di potenza SiC/GaN.
Spettroscopia di impedenza dei condensatori di circuito intermedi negli inverter SiC e GaN

Spettroscopia di impedenza dei condensatori di circuito intermedi negli inverter SiC e GaN

Nota applicativa pratica: Come gli ingegneri valutano ESR, ESL, risonanze e bande di tolleranza dei condensatori del collegamento in corrente continua negli inverter SiC/GaN utilizzando gli analizzatori di impedenza Tonghui.
Misurazioni otticamente isolate su driver di gate in SiC e GaN nell'elettronica di potenza

Misurazioni otticamente isolate su driver di gate in SiC e GaN nell'elettronica di potenza

Come le sonde differenziali otticamente isolate consentono misurazioni sicure e riproducibili su driver di gate veloci in SiC e GaN nell'elettronica di potenza.
Misurazioni sicure dei gate su dispositivi elettronici di potenza in SiC e GaN con sonde a isolamento ottico

Misurazioni sicure dei gate su dispositivi elettronici di potenza in SiC e GaN con sonde a isolamento ottico

Come misurare i segnali di gate nei semiponti in SiC e GaN in modo sicuro e riproducibile con sonde otticamente isolate (ad es. Micsig SigOFIT): errori tipici, best practice e tecnologia di misurazione adatta, disponibili nel negozio online di eVision.